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MOS
FET

MOSFET FDFMA2P859T P-Channel

MOSFET P-Channel — Encapsulado MICROFET2X2THIN — Vds=20V, Id=3A, RDSon=0.12Ω, 1.4W

MOSFET P-Channel MICROFET2X2THIN 1.400 W

Parametros principales

Vds Max 20 V

Id Max 3 A

RDSon 0.12 Ω

Vgs Max 8 V

Potencia 1.4 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	MICROFET2X2THIN
tr - Rise Time	11 nS
Type of Control Channel	P-Channel
Coss - Output Capacitance	80 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	3 A
Pd - Maximum Power Dissipation	1.4 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	8 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	20 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.12 Ohm

Transistores equivalentes y compatibles

Los siguientes transistores pueden usarse como reemplazo del FDFMA2P859T:

FDFM2P110 MOSFET P-Channel FDFMA2P029Z MOSFET P-Channel FDFMA2P853 MOSFET P-Channel FDFMA2P853T MOSFET P-Channel FDFMA2P857 MOSFET P-Channel FDFME2P823ZT MOSFET P-Channel FDFMJ2P023Z MOSFET P-Channel FDFS2P102 MOSFET P-Channel FDFS2P102A MOSFET P-Channel FDFS2P103 MOSFET P-Channel FDFS2P103A MOSFET P-Channel

¿Que es el FDFMA2P859T?

El FDFMA2P859T es un transistor MOSFET de canal P-Channel en encapsulado MICROFET2X2THIN. Soporta hasta 20V entre drain y source con una corriente maxima de 3A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.12 Ohm.

Los MOSFET como el FDFMA2P859T se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

Si necesitas comparar parametros con los equivalentes, usa nuestro comparador lado a lado. Tambien podes explorar todos los transistores MOSFET disponibles.

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Preguntas frecuentes sobre el FDFMA2P859T

¿Con que transistor puedo reemplazar el FDFMA2P859T?

Los reemplazos compatibles para el FDFMA2P859T incluyen: FDFM2P110, FDFMA2P029Z, FDFMA2P853, FDFMA2P853T, FDFMA2P857, FDFME2P823ZT, FDFMJ2P023Z, FDFS2P102, FDFS2P102A, FDFS2P103, y 1 mas. Verifica que los parametros clave (voltaje, corriente, encapsulado) sean compatibles con tu circuito antes de sustituir.

¿Que tipo de transistor es el FDFMA2P859T?

El FDFMA2P859T es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado MICROFET2X2THIN. Sus parametros principales son: Vds=20V, Id=3A, RDSon=0.12Ω, 1.4W.

¿Cual es el voltaje maximo del FDFMA2P859T?

El FDFMA2P859T soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 20V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 8V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el FDFMA2P859T?

El FDFMA2P859T viene en encapsulado MICROFET2X2THIN. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el FDFMA2P859T?

El FDFMA2P859T se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del FDFMA2P859T?

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