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MOS
FET

MOSFET FDMS4435BZ P-Channel

MOSFET P-Channel — Encapsulado POWER56 — Vds=30V, Id=18A, RDSon=0.02Ω, 39W

MOSFET P-Channel POWER56 39.000 W

Parametros principales

Vds Max 30 V

Id Max 18 A

RDSon 0.02 Ω

Vgs Max 25 V

Potencia 39 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	POWER56
Type of Control Channel	P-Channel
\|Id\| - Maximum Drain Current	18 A
Pd - Maximum Power Dissipation	39 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	25 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	30 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.02 Ohm

¿Que es el FDMS4435BZ?

El FDMS4435BZ es un transistor MOSFET de canal P-Channel en encapsulado POWER56. Soporta hasta 30V entre drain y source con una corriente maxima de 18A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.02 Ohm.

Los MOSFET como el FDMS4435BZ se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el FDMS4435BZ

¿Que tipo de transistor es el FDMS4435BZ?

El FDMS4435BZ es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado POWER56. Sus parametros principales son: Vds=30V, Id=18A, RDSon=0.02Ω, 39W.

¿Cual es el voltaje maximo del FDMS4435BZ?

El FDMS4435BZ soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 25V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el FDMS4435BZ?

El FDMS4435BZ viene en encapsulado POWER56. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el FDMS4435BZ?

El FDMS4435BZ se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del FDMS4435BZ?

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