MOSFET FQA13N50CF N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado TO3PN — Vds=500V, Id=15A, RDSon=0.48Ω, 218W
Parametros principales
| Package | TO3PN |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 15 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 218 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 500 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.48 Ohm |
¿Que es el FQA13N50CF?
El FQA13N50CF es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TO3PN. Soporta hasta 500V entre drain y source con una corriente maxima de 15A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.48 Ohm.
Los MOSFET como el FQA13N50CF se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el FQA13N50CF
¿Que tipo de transistor es el FQA13N50CF?
El FQA13N50CF es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO3PN. Sus parametros principales son: Vds=500V, Id=15A, RDSon=0.48Ω, 218W.
¿Cual es el voltaje maximo del FQA13N50CF?
El FQA13N50CF soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 500V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 30V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el FQA13N50CF?
El FQA13N50CF viene en encapsulado TO3PN. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el FQA13N50CF?
El FQA13N50CF se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
¿Es gratis consultar los datos del FQA13N50CF?
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