MOSFET FQA160N08 N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado TO3PN — Vds=80V, Id=160A, RDSon=0.007Ω, 375W
Parametros principales
| Package | TO3PN |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 160 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 375 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 25 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 80 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.007 Ohm |
¿Que es el FQA160N08?
El FQA160N08 es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TO3PN. Soporta hasta 80V entre drain y source con una corriente maxima de 160A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.007 Ohm.
Los MOSFET como el FQA160N08 se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el FQA160N08
¿Que tipo de transistor es el FQA160N08?
El FQA160N08 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO3PN. Sus parametros principales son: Vds=80V, Id=160A, RDSon=0.007Ω, 375W.
¿Cual es el voltaje maximo del FQA160N08?
El FQA160N08 soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 80V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 25V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el FQA160N08?
El FQA160N08 viene en encapsulado TO3PN. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el FQA160N08?
El FQA160N08 se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
¿Es gratis consultar los datos del FQA160N08?
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