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MOS
FET

MOSFET FQB27N25TMF085 N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado TO263 D2PAK — Vds=250V, Id=25.5A, RDSon=0.131Ω, 417W

MOSFET N-Channel TO263 D2PAK 417.000 W

Parametros principales

Vds Max 250 V

Id Max 25.5 A

RDSon 0.131 Ω

Vgs Max 30 V

Potencia 417 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	TO263 D2PAK
tr - Rise Time	122 nS
Type of Control Channel	N-Channel
Coss - Output Capacitance	350 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	25.5 A
Pd - Maximum Power Dissipation	417 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	30 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	250 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.131 Ohm

Transistores equivalentes y compatibles

Los siguientes transistores pueden usarse como reemplazo del FQB27N25TMF085:

2N7002 MOSFET N-Channel 2SK701 MOSFET N-Channel 2SK702 MOSFET N-Channel 2SK703 MOSFET N-Channel 2SK704 MOSFET N-Channel 2SK705 MOSFET N-Channel 2SK709 MOSFET N-Channel 2SK711 MOSFET N-Channel FCH041N60E MOSFET N-Channel FDBL9401F085 MOSFET N-Channel FDBL9403F085 MOSFET N-Channel FDBL9406F085 MOSFET N-Channel FDD9409F085 MOSFET N-Channel FDMD82100L MOSFET N-Channel FDMS0308AS MOSFET N-Channel FDMS0309AS MOSFET N-Channel FDMS0310AS MOSFET N-Channel FDMS0312AS MOSFET N-Channel FDMS86150A MOSFET N-Channel FDMS8670S MOSFET N-Channel

¿Que es el FQB27N25TMF085?

El FQB27N25TMF085 es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TO263 D2PAK. Soporta hasta 250V entre drain y source con una corriente maxima de 25.5A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.131 Ohm.

Los MOSFET como el FQB27N25TMF085 se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el FQB27N25TMF085

¿Con que transistor puedo reemplazar el FQB27N25TMF085?

Los reemplazos compatibles para el FQB27N25TMF085 incluyen: 2N7002, 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, FCH041N60E, FDBL9401F085, y 10 mas. Verifica que los parametros clave (voltaje, corriente, encapsulado) sean compatibles con tu circuito antes de sustituir.

¿Que tipo de transistor es el FQB27N25TMF085?

El FQB27N25TMF085 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO263 D2PAK. Sus parametros principales son: Vds=250V, Id=25.5A, RDSon=0.131Ω, 417W.

¿Cual es el voltaje maximo del FQB27N25TMF085?

El FQB27N25TMF085 soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 250V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 30V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el FQB27N25TMF085?

El FQB27N25TMF085 viene en encapsulado TO263 D2PAK. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el FQB27N25TMF085?

El FQB27N25TMF085 se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del FQB27N25TMF085?

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