MOSFET FQB32N20CTM N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado D2-PAK — Vds=200V, Id=28A, RDSon=0.082Ω, 156W
Parametros principales
| Package | D2-PAK |
| tr - Rise Time | 270 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 400 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 28 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 156 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 200 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.082 Ohm |
¿Que es el FQB32N20CTM?
El FQB32N20CTM es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado D2-PAK. Soporta hasta 200V entre drain y source con una corriente maxima de 28A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.082 Ohm.
Los MOSFET como el FQB32N20CTM se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el FQB32N20CTM
¿Que tipo de transistor es el FQB32N20CTM?
El FQB32N20CTM es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado D2-PAK. Sus parametros principales son: Vds=200V, Id=28A, RDSon=0.082Ω, 156W.
¿Cual es el voltaje maximo del FQB32N20CTM?
El FQB32N20CTM soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 200V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 30V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el FQB32N20CTM?
El FQB32N20CTM viene en encapsulado D2-PAK. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el FQB32N20CTM?
El FQB32N20CTM se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
¿Es gratis consultar los datos del FQB32N20CTM?
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