MOSFET FQB46N15TMAM002 N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado D2-PAK — Vds=150V, Id=45.6A, RDSon=0.042Ω, 210W
Parametros principales
| Package | D2-PAK |
| tr - Rise Time | 320 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 520 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 45.6 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 210 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 25 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 150 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.042 Ohm |
¿Que es el FQB46N15TMAM002?
El FQB46N15TMAM002 es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado D2-PAK. Soporta hasta 150V entre drain y source con una corriente maxima de 45.6A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.042 Ohm.
Los MOSFET como el FQB46N15TMAM002 se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el FQB46N15TMAM002
¿Que tipo de transistor es el FQB46N15TMAM002?
El FQB46N15TMAM002 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado D2-PAK. Sus parametros principales son: Vds=150V, Id=45.6A, RDSon=0.042Ω, 210W.
¿Cual es el voltaje maximo del FQB46N15TMAM002?
El FQB46N15TMAM002 soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 150V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 25V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el FQB46N15TMAM002?
El FQB46N15TMAM002 viene en encapsulado D2-PAK. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el FQB46N15TMAM002?
El FQB46N15TMAM002 se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
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