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MOS
FET

MOSFET FQD2N60CTM N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado DPAK — Vds=600V, Id=1.9A, RDSon=4.7Ω, 44W

MOSFET N-Channel DPAK 44.000 W

Parametros principales

Vds Max 600 V

Id Max 1.9 A

RDSon 4.7 Ω

Vgs Max 30 V

Potencia 44 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	DPAK
Type of Control Channel	N-Channel
\|Id\| - Maximum Drain Current	1.9 A
Pd - Maximum Power Dissipation	44 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	30 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	600 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	4.7 Ohm

Transistores equivalentes y compatibles

Los siguientes transistores pueden usarse como reemplazo del FQD2N60CTM:

2SK701 MOSFET N-Channel 2SK702 MOSFET N-Channel 2SK703 MOSFET N-Channel 2SK704 MOSFET N-Channel 2SK705 MOSFET N-Channel 2SK709 MOSFET N-Channel 2SK711 MOSFET N-Channel FDM15-06KC5 MOSFET N-Channel FDM47-06KC5 MOSFET N-Channel FDMS86368F085 MOSFET N-Channel FDMS8672S MOSFET N-Channel FDPF045N10A MOSFET N-Channel FMD15-06KC5 MOSFET N-Channel FMD21-05QC MOSFET N-Channel FMD40-06KC MOSFET N-Channel FMD47-06KC5 MOSFET N-Channel IRFB4115 MOSFET N-Channel

¿Que es el FQD2N60CTM?

El FQD2N60CTM es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado DPAK. Soporta hasta 600V entre drain y source con una corriente maxima de 1.9A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 4.7 Ohm.

Los MOSFET como el FQD2N60CTM se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

Si necesitas comparar parametros con los equivalentes, usa nuestro comparador lado a lado. Tambien podes explorar todos los transistores MOSFET disponibles.

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Preguntas frecuentes sobre el FQD2N60CTM

¿Con que transistor puedo reemplazar el FQD2N60CTM?

Los reemplazos compatibles para el FQD2N60CTM incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, FDM15-06KC5, FDM47-06KC5, FDMS86368F085, y 7 mas. Verifica que los parametros clave (voltaje, corriente, encapsulado) sean compatibles con tu circuito antes de sustituir.

¿Que tipo de transistor es el FQD2N60CTM?

El FQD2N60CTM es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado DPAK. Sus parametros principales son: Vds=600V, Id=1.9A, RDSon=4.7Ω, 44W.

¿Cual es el voltaje maximo del FQD2N60CTM?

El FQD2N60CTM soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 30V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el FQD2N60CTM?

El FQD2N60CTM viene en encapsulado DPAK. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el FQD2N60CTM?

El FQD2N60CTM se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del FQD2N60CTM?

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