MOSFET FQI50N06LTU N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado I2-PAK — Vds=60V, Id=52.4A, RDSon=0.021Ω, 121W
Parametros principales
| Package | I2-PAK |
| tr - Rise Time | 380 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 445 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 52.4 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 121 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.021 Ohm |
¿Que es el FQI50N06LTU?
El FQI50N06LTU es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado I2-PAK. Soporta hasta 60V entre drain y source con una corriente maxima de 52.4A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.021 Ohm.
Los MOSFET como el FQI50N06LTU se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el FQI50N06LTU
¿Que tipo de transistor es el FQI50N06LTU?
El FQI50N06LTU es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado I2-PAK. Sus parametros principales son: Vds=60V, Id=52.4A, RDSon=0.021Ω, 121W.
¿Cual es el voltaje maximo del FQI50N06LTU?
El FQI50N06LTU soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el FQI50N06LTU?
El FQI50N06LTU viene en encapsulado I2-PAK. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el FQI50N06LTU?
El FQI50N06LTU se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
¿Es gratis consultar los datos del FQI50N06LTU?
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