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MOS
FET

MOSFET G12P10K P-Channel

MOSFET P-Channel — Encapsulado TO-252 — Vds=100V, Id=12A, RDSon=0.2Ω, 40W

MOSFET P-Channel TO-252 40.000 W

Parametros principales

Vds Max 100 V

Id Max 12 A

RDSon 0.2 Ω

Vgs Max 20 V

Potencia 40 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	TO-252
tr - Rise Time	18 nS
Type of Control Channel	P-Channel
Coss - Output Capacitance	260 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	12 A
Pd - Maximum Power Dissipation	40 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	20 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	100 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.2 Ohm

¿Que es el G12P10K?

El G12P10K es un transistor MOSFET de canal P-Channel en encapsulado TO-252. Soporta hasta 100V entre drain y source con una corriente maxima de 12A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.2 Ohm.

Los MOSFET como el G12P10K se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el G12P10K

¿Que tipo de transistor es el G12P10K?

El G12P10K es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO-252. Sus parametros principales son: Vds=100V, Id=12A, RDSon=0.2Ω, 40W.

¿Cual es el voltaje maximo del G12P10K?

El G12P10K soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el G12P10K?

El G12P10K viene en encapsulado TO-252. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el G12P10K?

El G12P10K se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del G12P10K?

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