MOSFET G3035-23 P-Channel
MOSFET P-Channel — Encapsulado SOT-23 — Vds=30V, Id=5A, RDSon=0.055Ω, 1.2W
Parametros principales
| Package | SOT-23 |
| tr - Rise Time | 4.5 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 105 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 1.2 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.055 Ohm |
¿Que es el G3035-23?
El G3035-23 es un transistor MOSFET de canal P-Channel en encapsulado SOT-23. Soporta hasta 30V entre drain y source con una corriente maxima de 5A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.055 Ohm.
Los MOSFET como el G3035-23 se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el G3035-23
¿Que tipo de transistor es el G3035-23?
El G3035-23 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SOT-23. Sus parametros principales son: Vds=30V, Id=5A, RDSon=0.055Ω, 1.2W.
¿Cual es el voltaje maximo del G3035-23?
El G3035-23 soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el G3035-23?
El G3035-23 viene en encapsulado SOT-23. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el G3035-23?
El G3035-23 se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
¿Es gratis consultar los datos del G3035-23?
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