MOSFET GP1T080A120B N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado TO-247 — Vds=1,200V, Id=32A, RDSon=0.1Ω, 208W
Parametros principales
| Package | TO-247 |
| tr - Rise Time | 35 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 188 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 32 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 208 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 25 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 1200 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.1 Ohm |
¿Que es el GP1T080A120B?
El GP1T080A120B es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TO-247. Soporta hasta 1,200V entre drain y source con una corriente maxima de 32A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.1 Ohm.
Los MOSFET como el GP1T080A120B se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el GP1T080A120B
¿Que tipo de transistor es el GP1T080A120B?
El GP1T080A120B es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-247. Sus parametros principales son: Vds=1,200V, Id=32A, RDSon=0.1Ω, 208W.
¿Cual es el voltaje maximo del GP1T080A120B?
El GP1T080A120B soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 1,200V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 25V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el GP1T080A120B?
El GP1T080A120B viene en encapsulado TO-247. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el GP1T080A120B?
El GP1T080A120B se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
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