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MOS
FET

MOSFET GSM4516W NP-Channel

MOSFET NP-Channel — Encapsulado SOP-8P — Vds=30V, Id=8A, RDSon=0.015Ω, 2.8W

MOSFET NP-Channel SOP-8P 2.800 W

Parametros principales

Vds Max 30 V

Id Max 8 A

RDSon 0.015 Ω

Vgs Max 20 V

Potencia 2.8 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	SOP-8P
tr - Rise Time	8 nS
Type of Control Channel	NP-Channel
Coss - Output Capacitance	180 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	8 A
Pd - Maximum Power Dissipation	2.8 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	20 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	30 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.015 Ohm

¿Que es el GSM4516W?

El GSM4516W es un transistor MOSFET de canal NP-Channel en encapsulado SOP-8P. Soporta hasta 30V entre drain y source con una corriente maxima de 8A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.015 Ohm.

Los MOSFET como el GSM4516W se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el GSM4516W

¿Que tipo de transistor es el GSM4516W?

El GSM4516W es un transistor MOSFET NP-Channel en encapsulado SOP-8P. Sus parametros principales son: Vds=30V, Id=8A, RDSon=0.015Ω, 2.8W.

¿Cual es el voltaje maximo del GSM4516W?

El GSM4516W soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el GSM4516W?

El GSM4516W viene en encapsulado SOP-8P. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el GSM4516W?

El GSM4516W se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del GSM4516W?

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