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MOS
FET

MOSFET GSM5604 NP-Channel

MOSFET NP-Channel — Encapsulado TO-252 — Vds=40V, Id=8A, RDSon=0.02Ω, 2.8W

MOSFET NP-Channel TO-252 2.800 W

Parametros principales

Vds Max 40 V

Id Max 8 A

RDSon 0.02 Ω

Vgs Max 20 V

Potencia 2.8 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	TO-252
tr - Rise Time	10 nS
Type of Control Channel	NP-Channel
Coss - Output Capacitance	110 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	8 A
Pd - Maximum Power Dissipation	2.8 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	20 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	40 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.02 Ohm

¿Que es el GSM5604?

El GSM5604 es un transistor MOSFET de canal NP-Channel en encapsulado TO-252. Soporta hasta 40V entre drain y source con una corriente maxima de 8A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.02 Ohm.

Los MOSFET como el GSM5604 se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el GSM5604

¿Que tipo de transistor es el GSM5604?

El GSM5604 es un transistor MOSFET NP-Channel en encapsulado TO-252. Sus parametros principales son: Vds=40V, Id=8A, RDSon=0.02Ω, 2.8W.

¿Cual es el voltaje maximo del GSM5604?

El GSM5604 soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 40V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el GSM5604?

El GSM5604 viene en encapsulado TO-252. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el GSM5604?

El GSM5604 se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

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