MOSFET H4435S P-Channel
MOSFET P-Channel — Encapsulado SO8 — Vds=30V, Id=9.1A, RDSon=0.035Ω, 2.5W
Parametros principales
| Package | SO8 |
| tr - Rise Time | 7 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 205 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 9.1 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.035 Ohm |
Transistores equivalentes y compatibles
Los siguientes transistores pueden usarse como reemplazo del H4435S:
¿Que es el H4435S?
El H4435S es un transistor MOSFET de canal P-Channel en encapsulado SO8. Soporta hasta 30V entre drain y source con una corriente maxima de 9.1A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.035 Ohm.
Los MOSFET como el H4435S se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el H4435S
¿Con que transistor puedo reemplazar el H4435S?
Los reemplazos compatibles para el H4435S incluyen: H9435S. Verifica que los parametros clave (voltaje, corriente, encapsulado) sean compatibles con tu circuito antes de sustituir.
¿Que tipo de transistor es el H4435S?
El H4435S es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SO8. Sus parametros principales son: Vds=30V, Id=9.1A, RDSon=0.035Ω, 2.5W.
¿Cual es el voltaje maximo del H4435S?
El H4435S soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el H4435S?
El H4435S viene en encapsulado SO8. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el H4435S?
El H4435S se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
¿Es gratis consultar los datos del H4435S?
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