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MOS
FET

MOSFET HAF2012L N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado LDPAK — Vds=60V, Id=20A, RDSon=0.043Ω, 50W

MOSFET N-Channel LDPAK 50.000 W

Parametros principales

Vds Max 60 V

Id Max 20 A

RDSon 0.043 Ω

Vgs Max 16 V

Potencia 50 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	LDPAK
tr - Rise Time	29000 nS
Type of Control Channel	N-Channel
Coss - Output Capacitance	630 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	20 A
Pd - Maximum Power Dissipation	50 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	16 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	60 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.043 Ohm

¿Que es el HAF2012L?

El HAF2012L es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado LDPAK. Soporta hasta 60V entre drain y source con una corriente maxima de 20A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.043 Ohm.

Los MOSFET como el HAF2012L se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el HAF2012L

¿Que tipo de transistor es el HAF2012L?

El HAF2012L es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado LDPAK. Sus parametros principales son: Vds=60V, Id=20A, RDSon=0.043Ω, 50W.

¿Cual es el voltaje maximo del HAF2012L?

El HAF2012L soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 16V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el HAF2012L?

El HAF2012L viene en encapsulado LDPAK. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el HAF2012L?

El HAF2012L se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del HAF2012L?

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