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MOS
FET

MOSFET HCT7000M N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado LCC — Vds=60V, Id=0.2A, RDSon=5Ω, 0.3W

MOSFET N-Channel LCC 0.300 W

Parametros principales

Vds Max 60 V

Id Max 0.2 A

RDSon 5 Ω

Vgs Max 40 V

Potencia 0.3 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	LCC
Type of Control Channel	N-Channel
Coss - Output Capacitance	25 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	0.2 A
Pd - Maximum Power Dissipation	0.3 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	40 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	60 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	5 Ohm

¿Que es el HCT7000M?

El HCT7000M es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado LCC. Soporta hasta 60V entre drain y source con una corriente maxima de 0.2A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 5 Ohm.

Los MOSFET como el HCT7000M se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el HCT7000M

¿Que tipo de transistor es el HCT7000M?

El HCT7000M es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado LCC. Sus parametros principales son: Vds=60V, Id=0.2A, RDSon=5Ω, 0.3W.

¿Cual es el voltaje maximo del HCT7000M?

El HCT7000M soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 40V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el HCT7000M?

El HCT7000M viene en encapsulado LCC. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el HCT7000M?

El HCT7000M se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del HCT7000M?

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