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MOS
FET

MOSFET HFI640 N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado TO-262 — Vds=200V, Id=18A, RDSon=0.18Ω, 139W

MOSFET N-Channel TO-262 139.000 W

Parametros principales

Vds Max 200 V

Id Max 18 A

RDSon 0.18 Ω

Vgs Max 30 V

Potencia 139 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	TO-262
tr - Rise Time	150 nS
Type of Control Channel	N-Channel
Coss - Output Capacitance	175 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	18 A
Pd - Maximum Power Dissipation	139 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	30 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	200 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.18 Ohm

¿Que es el HFI640?

El HFI640 es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TO-262. Soporta hasta 200V entre drain y source con una corriente maxima de 18A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.18 Ohm.

Los MOSFET como el HFI640 se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el HFI640

¿Que tipo de transistor es el HFI640?

El HFI640 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-262. Sus parametros principales son: Vds=200V, Id=18A, RDSon=0.18Ω, 139W.

¿Cual es el voltaje maximo del HFI640?

El HFI640 soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 200V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 30V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el HFI640?

El HFI640 viene en encapsulado TO-262. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el HFI640?

El HFI640 se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

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