MOSFET HGB110N20S N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado TO-263 — Vds=200V, Id=132A, RDSon=0.0109Ω, 429W
Parametros principales
| Package | TO-263 |
| tr - Rise Time | 22 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 420 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 132 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 429 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 200 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0109 Ohm |
Transistores equivalentes y compatibles
Los siguientes transistores pueden usarse como reemplazo del HGB110N20S:
¿Que es el HGB110N20S?
El HGB110N20S es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TO-263. Soporta hasta 200V entre drain y source con una corriente maxima de 132A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.0109 Ohm.
Los MOSFET como el HGB110N20S se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
Si necesitas comparar parametros con los equivalentes, usa nuestro comparador lado a lado. Tambien podes explorar todos los transistores MOSFET disponibles.
BIOS, schematics, boardviews, cursos y foro. Todo sin costo, sin trucos.
¿Necesitas que lo reparemos nosotros?
Si preferis que un profesional se encargue, hacemos reparacion a nivel de componentes: micro-soldadura, reballing, cambio de chips, recuperacion de equipos que no encienden.
Preguntas frecuentes sobre el HGB110N20S
¿Con que transistor puedo reemplazar el HGB110N20S?
Los reemplazos compatibles para el HGB110N20S incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, HGB105N15S, HGB105N15SL, HGB110N10SL, y 14 mas. Verifica que los parametros clave (voltaje, corriente, encapsulado) sean compatibles con tu circuito antes de sustituir.
¿Que tipo de transistor es el HGB110N20S?
El HGB110N20S es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-263. Sus parametros principales son: Vds=200V, Id=132A, RDSon=0.0109Ω, 429W.
¿Cual es el voltaje maximo del HGB110N20S?
El HGB110N20S soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 200V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el HGB110N20S?
El HGB110N20S viene en encapsulado TO-263. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el HGB110N20S?
El HGB110N20S se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
¿Es gratis consultar los datos del HGB110N20S?
Si, toda la informacion tecnica en Academia InfoSquad es 100% gratuita. Parametros, equivalentes y datasheets sin costo ni registro obligatorio. Si te registras (tambien gratis), accedes a mas de 33.000 archivos de BIOS, schematics y boardviews.