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MOS
FET

MOSFET HSH6115 P-Channel

MOSFET P-Channel — Encapsulado TO263 — Vds=60V, Id=45A, RDSon=0.025Ω, 86.8W

MOSFET P-Channel TO263 86.800 W

Parametros principales

Vds Max 60 V

Id Max 45 A

RDSon 0.025 Ω

Vgs Max 20 V

Potencia 86.8 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	TO263
tr - Rise Time	23.6 nS
Type of Control Channel	P-Channel
Coss - Output Capacitance	224 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	45 A
Pd - Maximum Power Dissipation	86.8 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	20 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	60 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.025 Ohm

¿Que es el HSH6115?

El HSH6115 es un transistor MOSFET de canal P-Channel en encapsulado TO263. Soporta hasta 60V entre drain y source con una corriente maxima de 45A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.025 Ohm.

Los MOSFET como el HSH6115 se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el HSH6115

¿Que tipo de transistor es el HSH6115?

El HSH6115 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO263. Sus parametros principales son: Vds=60V, Id=45A, RDSon=0.025Ω, 86.8W.

¿Cual es el voltaje maximo del HSH6115?

El HSH6115 soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el HSH6115?

El HSH6115 viene en encapsulado TO263. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el HSH6115?

El HSH6115 se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

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