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MOS
FET

MOSFET HSSC3139 P-Channel

MOSFET P-Channel — Encapsulado SOT723 — Vds=20V, Id=0.65A, RDSon=0.5Ω, 0.15W

MOSFET P-Channel SOT723 0.150 W

Parametros principales

Vds Max 20 V

Id Max 0.65 A

RDSon 0.5 Ω

Vgs Max 12 V

Potencia 0.15 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	SOT723
tr - Rise Time	6 nS
Type of Control Channel	P-Channel
Coss - Output Capacitance	20 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	0.65 A
Pd - Maximum Power Dissipation	0.15 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	12 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	20 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.5 Ohm

¿Que es el HSSC3139?

El HSSC3139 es un transistor MOSFET de canal P-Channel en encapsulado SOT723. Soporta hasta 20V entre drain y source con una corriente maxima de 0.65A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.5 Ohm.

Los MOSFET como el HSSC3139 se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el HSSC3139

¿Que tipo de transistor es el HSSC3139?

El HSSC3139 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SOT723. Sus parametros principales son: Vds=20V, Id=0.65A, RDSon=0.5Ω, 0.15W.

¿Cual es el voltaje maximo del HSSC3139?

El HSSC3139 soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 20V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 12V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el HSSC3139?

El HSSC3139 viene en encapsulado SOT723. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el HSSC3139?

El HSSC3139 se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del HSSC3139?

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