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MOS
FET

MOSFET HTS180P03T P-Channel

MOSFET P-Channel — Encapsulado SOIC-8 — Vds=30V, Id=9.3A, RDSon=0.018Ω, 2.5W

MOSFET P-Channel SOIC-8 2.500 W

Parametros principales

Vds Max 30 V

Id Max 9.3 A

RDSon 0.018 Ω

Vgs Max 20 V

Potencia 2.5 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	SOIC-8
tr - Rise Time	8 nS
Type of Control Channel	P-Channel
Coss - Output Capacitance	260 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	9.3 A
Pd - Maximum Power Dissipation	2.5 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	20 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	30 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.018 Ohm

Transistores equivalentes y compatibles

Los siguientes transistores pueden usarse como reemplazo del HTS180P03T:

HTS075P03 MOSFET P-Channel HTS085P03E MOSFET P-Channel HTS130P03Z MOSFET P-Channel HTS140P03 MOSFET P-Channel HTS200P03 MOSFET P-Channel HTS240B03 MOSFET P-Channel HTS410P06 MOSFET P-Channel HTS450P03 MOSFET P-Channel

¿Que es el HTS180P03T?

El HTS180P03T es un transistor MOSFET de canal P-Channel en encapsulado SOIC-8. Soporta hasta 30V entre drain y source con una corriente maxima de 9.3A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.018 Ohm.

Los MOSFET como el HTS180P03T se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

Si necesitas comparar parametros con los equivalentes, usa nuestro comparador lado a lado. Tambien podes explorar todos los transistores MOSFET disponibles.

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Preguntas frecuentes sobre el HTS180P03T

¿Con que transistor puedo reemplazar el HTS180P03T?

Los reemplazos compatibles para el HTS180P03T incluyen: HTS075P03, HTS085P03E, HTS130P03Z, HTS140P03, HTS200P03, HTS240B03, HTS410P06, HTS450P03. Verifica que los parametros clave (voltaje, corriente, encapsulado) sean compatibles con tu circuito antes de sustituir.

¿Que tipo de transistor es el HTS180P03T?

El HTS180P03T es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SOIC-8. Sus parametros principales son: Vds=30V, Id=9.3A, RDSon=0.018Ω, 2.5W.

¿Cual es el voltaje maximo del HTS180P03T?

El HTS180P03T soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el HTS180P03T?

El HTS180P03T viene en encapsulado SOIC-8. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el HTS180P03T?

El HTS180P03T se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del HTS180P03T?

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