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MOS
FET

MOSFET HY1908B N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado TO263 — Vds=80V, Id=90A, RDSon=0.009Ω, 185W

MOSFET N-Channel TO263 185.000 W

Parametros principales

Vds Max 80 V

Id Max 90 A

RDSon 0.009 Ω

Vgs Max 25 V

Potencia 185 W

Tj Max 175 °C

Especificaciones completas ▼

Package	TO263
tr - Rise Time	42 nS
Type of Control Channel	N-Channel
Coss - Output Capacitance	389 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	90 A
Pd - Maximum Power Dissipation	185 W
Tj - Maximum Junction Temperature	175 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	25 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	80 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.009 Ohm

¿Que es el HY1908B?

El HY1908B es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TO263. Soporta hasta 80V entre drain y source con una corriente maxima de 90A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.009 Ohm.

Los MOSFET como el HY1908B se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el HY1908B

¿Que tipo de transistor es el HY1908B?

El HY1908B es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO263. Sus parametros principales son: Vds=80V, Id=90A, RDSon=0.009Ω, 185W.

¿Cual es el voltaje maximo del HY1908B?

El HY1908B soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 80V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 25V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el HY1908B?

El HY1908B viene en encapsulado TO263. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el HY1908B?

El HY1908B se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del HY1908B?

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