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MOS
FET

MOSFET HY5608A N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado TO3P — Vds=80V, Id=360A, RDSon=0.002Ω, 500W

MOSFET N-Channel TO3P 500.000 W

Parametros principales

Vds Max 80 V

Id Max 360 A

RDSon 0.002 Ω

Vgs Max 25 V

Potencia 500 W

Tj Max 175 °C

Especificaciones completas ▼

Package	TO3P
tr - Rise Time	47 nS
Type of Control Channel	N-Channel
Coss - Output Capacitance	1714 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	360 A
Pd - Maximum Power Dissipation	500 W
Tj - Maximum Junction Temperature	175 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	25 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	80 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.002 Ohm

¿Que es el HY5608A?

El HY5608A es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TO3P. Soporta hasta 80V entre drain y source con una corriente maxima de 360A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.002 Ohm.

Los MOSFET como el HY5608A se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el HY5608A

¿Que tipo de transistor es el HY5608A?

El HY5608A es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO3P. Sus parametros principales son: Vds=80V, Id=360A, RDSon=0.002Ω, 500W.

¿Cual es el voltaje maximo del HY5608A?

El HY5608A soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 80V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 25V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el HY5608A?

El HY5608A viene en encapsulado TO3P. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el HY5608A?

El HY5608A se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del HY5608A?

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