MOSFET HYG023N03LR1V N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado TO251 — Vds=30V, Id=110A, RDSon=0.0026Ω, 62.5W
Parametros principales
| Package | TO251 |
| tr - Rise Time | 24 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 561 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 110 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 62.5 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0026 Ohm |
¿Que es el HYG023N03LR1V?
El HYG023N03LR1V es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TO251. Soporta hasta 30V entre drain y source con una corriente maxima de 110A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.0026 Ohm.
Los MOSFET como el HYG023N03LR1V se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el HYG023N03LR1V
¿Que tipo de transistor es el HYG023N03LR1V?
El HYG023N03LR1V es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO251. Sus parametros principales son: Vds=30V, Id=110A, RDSon=0.0026Ω, 62.5W.
¿Cual es el voltaje maximo del HYG023N03LR1V?
El HYG023N03LR1V soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el HYG023N03LR1V?
El HYG023N03LR1V viene en encapsulado TO251. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el HYG023N03LR1V?
El HYG023N03LR1V se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
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