MOSFET HYG055N08NS1C2 N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado PPAK5X6-8L — Vds=80V, Id=85A, RDSon=0.006Ω, 83.3W
Parametros principales
| Package | PPAK5X6-8L |
| tr - Rise Time | 89 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 1540 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 85 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 83.3 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 80 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.006 Ohm |
Transistores equivalentes y compatibles
Los siguientes transistores pueden usarse como reemplazo del HYG055N08NS1C2:
¿Que es el HYG055N08NS1C2?
El HYG055N08NS1C2 es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado PPAK5X6-8L. Soporta hasta 80V entre drain y source con una corriente maxima de 85A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.006 Ohm.
Los MOSFET como el HYG055N08NS1C2 se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
Si necesitas comparar parametros con los equivalentes, usa nuestro comparador lado a lado. Tambien podes explorar todos los transistores MOSFET disponibles.
BIOS, schematics, boardviews, cursos y foro. Todo sin costo, sin trucos.
¿Necesitas que lo reparemos nosotros?
Si preferis que un profesional se encargue, hacemos reparacion a nivel de componentes: micro-soldadura, reballing, cambio de chips, recuperacion de equipos que no encienden.
Preguntas frecuentes sobre el HYG055N08NS1C2
¿Con que transistor puedo reemplazar el HYG055N08NS1C2?
Los reemplazos compatibles para el HYG055N08NS1C2 incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, 60N06, HYG011N04LS1C2, HYG013N03LS1C2, y 13 mas. Verifica que los parametros clave (voltaje, corriente, encapsulado) sean compatibles con tu circuito antes de sustituir.
¿Que tipo de transistor es el HYG055N08NS1C2?
El HYG055N08NS1C2 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado PPAK5X6-8L. Sus parametros principales son: Vds=80V, Id=85A, RDSon=0.006Ω, 83.3W.
¿Cual es el voltaje maximo del HYG055N08NS1C2?
El HYG055N08NS1C2 soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 80V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el HYG055N08NS1C2?
El HYG055N08NS1C2 viene en encapsulado PPAK5X6-8L. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el HYG055N08NS1C2?
El HYG055N08NS1C2 se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
¿Es gratis consultar los datos del HYG055N08NS1C2?
Si, toda la informacion tecnica en Academia InfoSquad es 100% gratuita. Parametros, equivalentes y datasheets sin costo ni registro obligatorio. Si te registras (tambien gratis), accedes a mas de 33.000 archivos de BIOS, schematics y boardviews.