MOSFET HYG110P04LQ2D P-Channel
MOSFET P-Channel — Encapsulado TO252 — Vds=40V, Id=50A, RDSon=0.012Ω, 57.7W
Parametros principales
| Package | TO252 |
| tr - Rise Time | 48 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 253 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 50 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 57.7 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 40 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.012 Ohm |
¿Que es el HYG110P04LQ2D?
El HYG110P04LQ2D es un transistor MOSFET de canal P-Channel en encapsulado TO252. Soporta hasta 40V entre drain y source con una corriente maxima de 50A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.012 Ohm.
Los MOSFET como el HYG110P04LQ2D se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el HYG110P04LQ2D
¿Que tipo de transistor es el HYG110P04LQ2D?
El HYG110P04LQ2D es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO252. Sus parametros principales son: Vds=40V, Id=50A, RDSon=0.012Ω, 57.7W.
¿Cual es el voltaje maximo del HYG110P04LQ2D?
El HYG110P04LQ2D soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 40V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el HYG110P04LQ2D?
El HYG110P04LQ2D viene en encapsulado TO252. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el HYG110P04LQ2D?
El HYG110P04LQ2D se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
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