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MOS
FET

MOSFET IAUA180N04S5N012 N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado HSOF-5 — Vds=40V, Id=180A, RDSon=0.0012Ω, 125W

MOSFET N-Channel HSOF-5 125.000 W

Parametros principales

Vds Max 40 V

Id Max 180 A

RDSon 0.0012 Ω

Vgs Max 20 V

Potencia 125 W

Tj Max 175 °C

Especificaciones completas ▼

Package	HSOF-5
tr - Rise Time	5 nS
Type of Control Channel	N-Channel
Coss - Output Capacitance	1230 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	180 A
Pd - Maximum Power Dissipation	125 W
Tj - Maximum Junction Temperature	175 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	20 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	40 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.0012 Ohm

¿Que es el IAUA180N04S5N012?

El IAUA180N04S5N012 es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado HSOF-5. Soporta hasta 40V entre drain y source con una corriente maxima de 180A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.0012 Ohm.

Los MOSFET como el IAUA180N04S5N012 se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el IAUA180N04S5N012

¿Que tipo de transistor es el IAUA180N04S5N012?

El IAUA180N04S5N012 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado HSOF-5. Sus parametros principales son: Vds=40V, Id=180A, RDSon=0.0012Ω, 125W.

¿Cual es el voltaje maximo del IAUA180N04S5N012?

El IAUA180N04S5N012 soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 40V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el IAUA180N04S5N012?

El IAUA180N04S5N012 viene en encapsulado HSOF-5. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el IAUA180N04S5N012?

El IAUA180N04S5N012 se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

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