MOSFET IAUC120N04S6L012 N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado TDSON-8 — Vds=40V, Id=120A, RDSon=0.0012Ω, 115W
Parametros principales
| Package | TDSON-8 |
| tr - Rise Time | 3 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 1022 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 120 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 115 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 16 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 40 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.00121 Ohm |
¿Que es el IAUC120N04S6L012?
El IAUC120N04S6L012 es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TDSON-8. Soporta hasta 40V entre drain y source con una corriente maxima de 120A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.0012 Ohm.
Los MOSFET como el IAUC120N04S6L012 se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el IAUC120N04S6L012
¿Que tipo de transistor es el IAUC120N04S6L012?
El IAUC120N04S6L012 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TDSON-8. Sus parametros principales son: Vds=40V, Id=120A, RDSon=0.0012Ω, 115W.
¿Cual es el voltaje maximo del IAUC120N04S6L012?
El IAUC120N04S6L012 soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 40V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 16V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el IAUC120N04S6L012?
El IAUC120N04S6L012 viene en encapsulado TDSON-8. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el IAUC120N04S6L012?
El IAUC120N04S6L012 se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
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