MOSFET IAUS200N08S5N023 N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado HSOG-8-1 — Vds=80V, Id=200A, RDSon=0.0023Ω, 200W
Parametros principales
| Package | HSOG-8-1 |
| tr - Rise Time | 11 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 980 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 200 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 200 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 80 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0023 Ohm |
¿Que es el IAUS200N08S5N023?
El IAUS200N08S5N023 es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado HSOG-8-1. Soporta hasta 80V entre drain y source con una corriente maxima de 200A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.0023 Ohm.
Los MOSFET como el IAUS200N08S5N023 se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el IAUS200N08S5N023
¿Que tipo de transistor es el IAUS200N08S5N023?
El IAUS200N08S5N023 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado HSOG-8-1. Sus parametros principales son: Vds=80V, Id=200A, RDSon=0.0023Ω, 200W.
¿Cual es el voltaje maximo del IAUS200N08S5N023?
El IAUS200N08S5N023 soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 80V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el IAUS200N08S5N023?
El IAUS200N08S5N023 viene en encapsulado HSOG-8-1. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el IAUS200N08S5N023?
El IAUS200N08S5N023 se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
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