MOSFET IPB120P04P4-04 P-Channel
MOSFET P-Channel — Encapsulado TO263 — Vds=40V, Id=120A, RDSon=0.0035Ω, 136W
Parametros principales
| Package | TO263 |
| tr - Rise Time | 20 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 3410 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 120 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 136 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 40 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0035 Ohm |
¿Que es el IPB120P04P4-04?
El IPB120P04P4-04 es un transistor MOSFET de canal P-Channel en encapsulado TO263. Soporta hasta 40V entre drain y source con una corriente maxima de 120A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.0035 Ohm.
Los MOSFET como el IPB120P04P4-04 se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el IPB120P04P4-04
¿Que tipo de transistor es el IPB120P04P4-04?
El IPB120P04P4-04 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO263. Sus parametros principales son: Vds=40V, Id=120A, RDSon=0.0035Ω, 136W.
¿Cual es el voltaje maximo del IPB120P04P4-04?
El IPB120P04P4-04 soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 40V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el IPB120P04P4-04?
El IPB120P04P4-04 viene en encapsulado TO263. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el IPB120P04P4-04?
El IPB120P04P4-04 se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
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