MOSFET IPB34CN10N N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado D2PAK TO-263 — Vds=100V, Id=27A, RDSon=0.034Ω, 58W
Parametros principales
| Package | D2PAK TO-263 |
| tr - Rise Time | 21 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 175 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 27 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 58 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.034 Ohm |
¿Que es el IPB34CN10N?
El IPB34CN10N es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado D2PAK TO-263. Soporta hasta 100V entre drain y source con una corriente maxima de 27A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.034 Ohm.
Los MOSFET como el IPB34CN10N se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el IPB34CN10N
¿Que tipo de transistor es el IPB34CN10N?
El IPB34CN10N es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado D2PAK TO-263. Sus parametros principales son: Vds=100V, Id=27A, RDSon=0.034Ω, 58W.
¿Cual es el voltaje maximo del IPB34CN10N?
El IPB34CN10N soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el IPB34CN10N?
El IPB34CN10N viene en encapsulado D2PAK TO-263. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el IPB34CN10N?
El IPB34CN10N se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
¿Es gratis consultar los datos del IPB34CN10N?
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