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MOS
FET

MOSFET IPB70N04S4-06 N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado TO263 — Vds=40V, Id=70A, RDSon=0.0062Ω, 58W

MOSFET N-Channel TO263 58.000 W

Parametros principales

Vds Max 40 V

Id Max 70 A

RDSon 0.0062 Ω

Vgs Max 20 V

Potencia 58 W

Tj Max 175 °C

Especificaciones completas ▼

Package	TO263
tr - Rise Time	10 nS
Type of Control Channel	N-Channel
Coss - Output Capacitance	490 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	70 A
Pd - Maximum Power Dissipation	58 W
Tj - Maximum Junction Temperature	175 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	20 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	40 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.0062 Ohm

Transistores equivalentes y compatibles

Los siguientes transistores pueden usarse como reemplazo del IPB70N04S4-06:

2N7002 MOSFET N-Channel 2SK701 MOSFET N-Channel 2SK702 MOSFET N-Channel 2SK703 MOSFET N-Channel 2SK704 MOSFET N-Channel 2SK705 MOSFET N-Channel 2SK709 MOSFET N-Channel 2SK711 MOSFET N-Channel IPB60R600C6 MOSFET N-Channel IPB60R600CP MOSFET N-Channel IPB60R950C6 MOSFET N-Channel IPB65R280C6 MOSFET N-Channel IPB65R280E6 MOSFET N-Channel IPB65R380C6 MOSFET N-Channel IPB65R600C6 MOSFET N-Channel IPB65R660CFD MOSFET N-Channel IPB79CN10NG MOSFET N-Channel IPB80N04S4-03 MOSFET N-Channel IPD100N04S4-02 MOSFET N-Channel IPD100N06S4-03 MOSFET N-Channel IPD14N06S2-80 MOSFET N-Channel IPD15N06S2L-64 MOSFET N-Channel IPD22N08S2L-50 MOSFET N-Channel IPD25N06S2-40 MOSFET N-Channel

¿Que es el IPB70N04S4-06?

El IPB70N04S4-06 es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TO263. Soporta hasta 40V entre drain y source con una corriente maxima de 70A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.0062 Ohm.

Los MOSFET como el IPB70N04S4-06 se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el IPB70N04S4-06

¿Con que transistor puedo reemplazar el IPB70N04S4-06?

Los reemplazos compatibles para el IPB70N04S4-06 incluyen: 2N7002, 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, IPB60R600C6, IPB60R600CP, y 14 mas. Verifica que los parametros clave (voltaje, corriente, encapsulado) sean compatibles con tu circuito antes de sustituir.

¿Que tipo de transistor es el IPB70N04S4-06?

El IPB70N04S4-06 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO263. Sus parametros principales son: Vds=40V, Id=70A, RDSon=0.0062Ω, 58W.

¿Cual es el voltaje maximo del IPB70N04S4-06?

El IPB70N04S4-06 soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 40V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el IPB70N04S4-06?

El IPB70N04S4-06 viene en encapsulado TO263. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el IPB70N04S4-06?

El IPB70N04S4-06 se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del IPB70N04S4-06?

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