MOSFET IPD09N03LA N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado TO252 — Vds=25V, Id=50A, RDSon=0.0086Ω, 63W
Parametros principales
| Package | TO252 |
| tr - Rise Time | 5.6 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 474 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 50 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 63 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 25 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0086 Ohm |
¿Que es el IPD09N03LA?
El IPD09N03LA es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TO252. Soporta hasta 25V entre drain y source con una corriente maxima de 50A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.0086 Ohm.
Los MOSFET como el IPD09N03LA se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el IPD09N03LA
¿Que tipo de transistor es el IPD09N03LA?
El IPD09N03LA es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO252. Sus parametros principales son: Vds=25V, Id=50A, RDSon=0.0086Ω, 63W.
¿Cual es el voltaje maximo del IPD09N03LA?
El IPD09N03LA soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 25V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el IPD09N03LA?
El IPD09N03LA viene en encapsulado TO252. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el IPD09N03LA?
El IPD09N03LA se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
¿Es gratis consultar los datos del IPD09N03LA?
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