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MOS
FET

MOSFET IPI110N20N3 N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado TO-262 — Vds=200V, Id=88A, RDSon=0.011Ω, 300W

MOSFET N-Channel TO-262 300.000 W

Parametros principales

Vds Max 200 V

Id Max 88 A

RDSon 0.011 Ω

Vgs Max 20 V

Potencia 300 W

Tj Max 175 °C

Especificaciones completas ▼

Package	TO-262
tr - Rise Time	26 nS
Type of Control Channel	N-Channel
Coss - Output Capacitance	401 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	88 A
Pd - Maximum Power Dissipation	300 W
Tj - Maximum Junction Temperature	175 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	20 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	200 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.011 Ohm

¿Que es el IPI110N20N3?

El IPI110N20N3 es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TO-262. Soporta hasta 200V entre drain y source con una corriente maxima de 88A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.011 Ohm.

Los MOSFET como el IPI110N20N3 se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el IPI110N20N3

¿Que tipo de transistor es el IPI110N20N3?

El IPI110N20N3 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-262. Sus parametros principales son: Vds=200V, Id=88A, RDSon=0.011Ω, 300W.

¿Cual es el voltaje maximo del IPI110N20N3?

El IPI110N20N3 soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 200V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el IPI110N20N3?

El IPI110N20N3 viene en encapsulado TO-262. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el IPI110N20N3?

El IPI110N20N3 se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

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