MOSFET IPI80P03P4-05 P-Channel
MOSFET P-Channel — Encapsulado TO262 — Vds=30V, Id=80A, RDSon=0.005Ω, 137W
Parametros principales
| Package | TO262 |
| tr - Rise Time | 10 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 2340 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 80 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 137 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.005 Ohm |
¿Que es el IPI80P03P4-05?
El IPI80P03P4-05 es un transistor MOSFET de canal P-Channel en encapsulado TO262. Soporta hasta 30V entre drain y source con una corriente maxima de 80A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.005 Ohm.
Los MOSFET como el IPI80P03P4-05 se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el IPI80P03P4-05
¿Que tipo de transistor es el IPI80P03P4-05?
El IPI80P03P4-05 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO262. Sus parametros principales son: Vds=30V, Id=80A, RDSon=0.005Ω, 137W.
¿Cual es el voltaje maximo del IPI80P03P4-05?
El IPI80P03P4-05 soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el IPI80P03P4-05?
El IPI80P03P4-05 viene en encapsulado TO262. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el IPI80P03P4-05?
El IPI80P03P4-05 se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
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