MOSFET IPL60R065C7 N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado VSON-4 — Vds=600V, Id=29A, RDSon=0.065Ω, 180W
Parametros principales
| Package | VSON-4 |
| tr - Rise Time | 5 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 54 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 29 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 180 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 600 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.065 Ohm |
¿Que es el IPL60R065C7?
El IPL60R065C7 es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado VSON-4. Soporta hasta 600V entre drain y source con una corriente maxima de 29A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.065 Ohm.
Los MOSFET como el IPL60R065C7 se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el IPL60R065C7
¿Que tipo de transistor es el IPL60R065C7?
El IPL60R065C7 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado VSON-4. Sus parametros principales son: Vds=600V, Id=29A, RDSon=0.065Ω, 180W.
¿Cual es el voltaje maximo del IPL60R065C7?
El IPL60R065C7 soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el IPL60R065C7?
El IPL60R065C7 viene en encapsulado VSON-4. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el IPL60R065C7?
El IPL60R065C7 se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
¿Es gratis consultar los datos del IPL60R065C7?
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