MOSFET IPLU250N04S4-1R7 N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado H-PSOF-8-1 — Vds=40V, Id=250A, RDSon=0.0017Ω, 188W
Parametros principales
| Package | H-PSOF-8-1 |
| tr - Rise Time | 18 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 1380 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 250 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 188 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 40 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0017 Ohm |
¿Que es el IPLU250N04S4-1R7?
El IPLU250N04S4-1R7 es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado H-PSOF-8-1. Soporta hasta 40V entre drain y source con una corriente maxima de 250A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.0017 Ohm.
Los MOSFET como el IPLU250N04S4-1R7 se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el IPLU250N04S4-1R7
¿Que tipo de transistor es el IPLU250N04S4-1R7?
El IPLU250N04S4-1R7 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado H-PSOF-8-1. Sus parametros principales son: Vds=40V, Id=250A, RDSon=0.0017Ω, 188W.
¿Cual es el voltaje maximo del IPLU250N04S4-1R7?
El IPLU250N04S4-1R7 soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 40V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el IPLU250N04S4-1R7?
El IPLU250N04S4-1R7 viene en encapsulado H-PSOF-8-1. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el IPLU250N04S4-1R7?
El IPLU250N04S4-1R7 se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
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