MOSFET IPP054NE8NG N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado TO-220 — Vds=85V, Id=100A, RDSon=0.0054Ω, 300W
Parametros principales
| Package | TO-220 |
| tr - Rise Time | 42 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 1710 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 100 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 300 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 85 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0054 Ohm |
¿Que es el IPP054NE8NG?
El IPP054NE8NG es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TO-220. Soporta hasta 85V entre drain y source con una corriente maxima de 100A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.0054 Ohm.
Los MOSFET como el IPP054NE8NG se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el IPP054NE8NG
¿Que tipo de transistor es el IPP054NE8NG?
El IPP054NE8NG es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-220. Sus parametros principales son: Vds=85V, Id=100A, RDSon=0.0054Ω, 300W.
¿Cual es el voltaje maximo del IPP054NE8NG?
El IPP054NE8NG soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 85V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el IPP054NE8NG?
El IPP054NE8NG viene en encapsulado TO-220. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el IPP054NE8NG?
El IPP054NE8NG se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
¿Es gratis consultar los datos del IPP054NE8NG?
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