MOSFET IPS60R400CE N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado IPAK TO-251 — Vds=600V, Id=14.7A, RDSon=0.4Ω, 112W
Parametros principales
| Package | IPAK TO-251 |
| tr - Rise Time | 9 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 46 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 14.7 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 112 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 600 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.4 Ohm |
¿Que es el IPS60R400CE?
El IPS60R400CE es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado IPAK TO-251. Soporta hasta 600V entre drain y source con una corriente maxima de 14.7A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.4 Ohm.
Los MOSFET como el IPS60R400CE se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el IPS60R400CE
¿Que tipo de transistor es el IPS60R400CE?
El IPS60R400CE es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado IPAK TO-251. Sus parametros principales son: Vds=600V, Id=14.7A, RDSon=0.4Ω, 112W.
¿Cual es el voltaje maximo del IPS60R400CE?
El IPS60R400CE soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el IPS60R400CE?
El IPS60R400CE viene en encapsulado IPAK TO-251. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el IPS60R400CE?
El IPS60R400CE se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
¿Es gratis consultar los datos del IPS60R400CE?
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