✦

Toda la info tecnica en InfoSquad es 100% gratis. — Parametros, equivalentes, datasheets y mas de 33.000 archivos sin costo.

MOS
FET

MOSFET IPT012N06N N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado HSOF-8 — Vds=60V, Id=313A, RDSon=0.0012Ω, 214W

MOSFET N-Channel HSOF-8 214.000 W

Parametros principales

Vds Max 60 V

Id Max 313 A

RDSon 0.0012 Ω

Vgs Max 20 V

Potencia 214 W

Tj Max 175 °C

Especificaciones completas ▼

Package	HSOF-8
tr - Rise Time	27 nS
Type of Control Channel	N-Channel
Coss - Output Capacitance	1800 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	313 A
Pd - Maximum Power Dissipation	214 W
Tj - Maximum Junction Temperature	175 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	20 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	60 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.0012 Ohm

¿Que es el IPT012N06N?

El IPT012N06N es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado HSOF-8. Soporta hasta 60V entre drain y source con una corriente maxima de 313A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.0012 Ohm.

Los MOSFET como el IPT012N06N se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

Explora todos los transistores MOSFET en nuestra base de datos, o busca BIOS y schematics en la biblioteca de descargas.

Registrate gratis y accede a todo

BIOS, schematics, boardviews, cursos y foro. Todo sin costo, sin trucos.

✓ +33.000 archivos ✓ Cursos gratis ✓ Foro de tecnicos

Crear cuenta gratis →

🔓 ¿Por que es gratis de verdad?

● Somos un servicio tecnico real con +20 años de experiencia en reparacion electronica.

● Estos datos los usamos en nuestro taller. Los compartimos porque a nosotros tambien nos ayudaron.

● No hay plan premium, ni creditos, ni monedas virtuales. Cero trucos.

● Nuestro ingreso es la reparacion de equipos, no tu suscripcion.

Servicio tecnico especializado

¿Necesitas que lo reparemos nosotros?

Si preferis que un profesional se encargue, hacemos reparacion a nivel de componentes: micro-soldadura, reballing, cambio de chips, recuperacion de equipos que no encienden.

Notebooks y MacBooks Micro-soldadura SMD Envios a todo el pais +20 años de experiencia

Consultar por WhatsApp →

🔧

Mas recursos gratuitos en InfoSquad

📁

Biblioteca de descargas

BIOS, schematics, boardviews y datasheets de cientos de modelos.

gratis

⚖

Comparador de transistores

Compara parametros lado a lado y encuentra el reemplazo ideal.

gratis

💬

Foro de la comunidad

Pregunta, comparti casos y aprende con otros tecnicos.

gratis

Preguntas frecuentes sobre el IPT012N06N

¿Que tipo de transistor es el IPT012N06N?

El IPT012N06N es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado HSOF-8. Sus parametros principales son: Vds=60V, Id=313A, RDSon=0.0012Ω, 214W.

¿Cual es el voltaje maximo del IPT012N06N?

El IPT012N06N soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el IPT012N06N?

El IPT012N06N viene en encapsulado HSOF-8. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el IPT012N06N?

El IPT012N06N se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del IPT012N06N?

Si, toda la informacion tecnica en Academia InfoSquad es 100% gratuita. Parametros, equivalentes y datasheets sin costo ni registro obligatorio. Si te registras (tambien gratis), accedes a mas de 33.000 archivos de BIOS, schematics y boardviews.