MOSFET IPT210N25NFD N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado HSOF-8 — Vds=250V, Id=69A, RDSon=0.021Ω, 375W
Parametros principales
| Package | HSOF-8 |
| tr - Rise Time | 13 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 300 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 69 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 375 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 250 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.021 Ohm |
¿Que es el IPT210N25NFD?
El IPT210N25NFD es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado HSOF-8. Soporta hasta 250V entre drain y source con una corriente maxima de 69A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.021 Ohm.
Los MOSFET como el IPT210N25NFD se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el IPT210N25NFD
¿Que tipo de transistor es el IPT210N25NFD?
El IPT210N25NFD es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado HSOF-8. Sus parametros principales son: Vds=250V, Id=69A, RDSon=0.021Ω, 375W.
¿Cual es el voltaje maximo del IPT210N25NFD?
El IPT210N25NFD soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 250V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el IPT210N25NFD?
El IPT210N25NFD viene en encapsulado HSOF-8. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el IPT210N25NFD?
El IPT210N25NFD se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
¿Es gratis consultar los datos del IPT210N25NFD?
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