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MOS
FET

MOSFET IRF510STRLPBF N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado TO263 — Vds=100V, Id=5.6A, RDSon=0.54Ω, 43W

MOSFET N-Channel TO263 43.000 W

Parametros principales

Vds Max 100 V

Id Max 5.6 A

RDSon 0.54 Ω

Vgs Max 20 V

Potencia 43 W

Tj Max 175 °C

Especificaciones completas ▼

Package	TO263
tr - Rise Time	16 nS
Type of Control Channel	N-Channel
Coss - Output Capacitance	81 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	5.6 A
Pd - Maximum Power Dissipation	43 W
Tj - Maximum Junction Temperature	175 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	20 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	100 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.54 Ohm

Transistores equivalentes y compatibles

Los siguientes transistores pueden usarse como reemplazo del IRF510STRLPBF:

¿Que es el IRF510STRLPBF?

El IRF510STRLPBF es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TO263. Soporta hasta 100V entre drain y source con una corriente maxima de 5.6A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.54 Ohm.

Los MOSFET como el IRF510STRLPBF se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

Si necesitas comparar parametros con los equivalentes, usa nuestro comparador lado a lado. Tambien podes explorar todos los transistores MOSFET disponibles.

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Preguntas frecuentes sobre el IRF510STRLPBF

¿Con que transistor puedo reemplazar el IRF510STRLPBF?

Los reemplazos compatibles para el IRF510STRLPBF incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, IRF1407, IRF4410A, IRF4410H, y 11 mas. Verifica que los parametros clave (voltaje, corriente, encapsulado) sean compatibles con tu circuito antes de sustituir.

¿Que tipo de transistor es el IRF510STRLPBF?

El IRF510STRLPBF es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO263. Sus parametros principales son: Vds=100V, Id=5.6A, RDSon=0.54Ω, 43W.

¿Cual es el voltaje maximo del IRF510STRLPBF?

El IRF510STRLPBF soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el IRF510STRLPBF?

El IRF510STRLPBF viene en encapsulado TO263. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el IRF510STRLPBF?

El IRF510STRLPBF se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del IRF510STRLPBF?

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