MOSFET IRF6644PBF N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado DIRECTFET — Vds=100V, Id=57A, RDSon=0.013Ω, 89W
Parametros principales
| Package | DIRECTFET |
| tr - Rise Time | 16 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 280 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 57 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 89 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.013 Ohm |
¿Que es el IRF6644PBF?
El IRF6644PBF es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado DIRECTFET. Soporta hasta 100V entre drain y source con una corriente maxima de 57A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.013 Ohm.
Los MOSFET como el IRF6644PBF se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el IRF6644PBF
¿Que tipo de transistor es el IRF6644PBF?
El IRF6644PBF es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado DIRECTFET. Sus parametros principales son: Vds=100V, Id=57A, RDSon=0.013Ω, 89W.
¿Cual es el voltaje maximo del IRF6644PBF?
El IRF6644PBF soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el IRF6644PBF?
El IRF6644PBF viene en encapsulado DIRECTFET. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el IRF6644PBF?
El IRF6644PBF se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
¿Es gratis consultar los datos del IRF6644PBF?
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