MOSFET IRF7509PBF NP-Channel
MOSFET NP-Channel — Encapsulado MICRO8 — Vds=30V, Id=2.7A, RDSon=0.11Ω, 1.25W
Parametros principales
| Package | MICRO8 |
| tr - Rise Time | 10 nS |
| Type of Control Channel | NP-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 80 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 2.7 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 1.25 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.11 Ohm |
¿Que es el IRF7509PBF?
El IRF7509PBF es un transistor MOSFET de canal NP-Channel en encapsulado MICRO8. Soporta hasta 30V entre drain y source con una corriente maxima de 2.7A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.11 Ohm.
Los MOSFET como el IRF7509PBF se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el IRF7509PBF
¿Que tipo de transistor es el IRF7509PBF?
El IRF7509PBF es un transistor MOSFET NP-Channel en encapsulado MICRO8. Sus parametros principales son: Vds=30V, Id=2.7A, RDSon=0.11Ω, 1.25W.
¿Cual es el voltaje maximo del IRF7509PBF?
El IRF7509PBF soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el IRF7509PBF?
El IRF7509PBF viene en encapsulado MICRO8. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el IRF7509PBF?
El IRF7509PBF se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
¿Es gratis consultar los datos del IRF7509PBF?
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