MOSFET IRF9Z34SPBF P-Channel
MOSFET P-Channel — Encapsulado TO-263 — Vds=60V, Id=18A, RDSon=0.14Ω, 88W
Parametros principales
| Package | TO-263 |
| tr - Rise Time | 120 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 620 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 18 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 88 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.14 Ohm |
¿Que es el IRF9Z34SPBF?
El IRF9Z34SPBF es un transistor MOSFET de canal P-Channel en encapsulado TO-263. Soporta hasta 60V entre drain y source con una corriente maxima de 18A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.14 Ohm.
Los MOSFET como el IRF9Z34SPBF se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el IRF9Z34SPBF
¿Que tipo de transistor es el IRF9Z34SPBF?
El IRF9Z34SPBF es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO-263. Sus parametros principales son: Vds=60V, Id=18A, RDSon=0.14Ω, 88W.
¿Cual es el voltaje maximo del IRF9Z34SPBF?
El IRF9Z34SPBF soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el IRF9Z34SPBF?
El IRF9Z34SPBF viene en encapsulado TO-263. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el IRF9Z34SPBF?
El IRF9Z34SPBF se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
¿Es gratis consultar los datos del IRF9Z34SPBF?
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