MOSFET IRFB4710PBF N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado TO-220AB — Vds=100V, Id=75A, RDSon=0.014Ω, 200W
Parametros principales
| Package | TO-220AB |
| tr - Rise Time | 130 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 440 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 75 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 200 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.014 Ohm |
¿Que es el IRFB4710PBF?
El IRFB4710PBF es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TO-220AB. Soporta hasta 100V entre drain y source con una corriente maxima de 75A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.014 Ohm.
Los MOSFET como el IRFB4710PBF se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el IRFB4710PBF
¿Que tipo de transistor es el IRFB4710PBF?
El IRFB4710PBF es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-220AB. Sus parametros principales son: Vds=100V, Id=75A, RDSon=0.014Ω, 200W.
¿Cual es el voltaje maximo del IRFB4710PBF?
El IRFB4710PBF soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el IRFB4710PBF?
El IRFB4710PBF viene en encapsulado TO-220AB. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el IRFB4710PBF?
El IRFB4710PBF se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
¿Es gratis consultar los datos del IRFB4710PBF?
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