MOSFET IRFB5620PBF N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado TO-220AB — Vds=200V, Id=25A, RDSon=0.0725Ω, 144W
Parametros principales
| Package | TO-220AB |
| tr - Rise Time | 14.6 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 125 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 25 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 144 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 200 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0725 Ohm |
¿Que es el IRFB5620PBF?
El IRFB5620PBF es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TO-220AB. Soporta hasta 200V entre drain y source con una corriente maxima de 25A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.0725 Ohm.
Los MOSFET como el IRFB5620PBF se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el IRFB5620PBF
¿Que tipo de transistor es el IRFB5620PBF?
El IRFB5620PBF es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-220AB. Sus parametros principales son: Vds=200V, Id=25A, RDSon=0.0725Ω, 144W.
¿Cual es el voltaje maximo del IRFB5620PBF?
El IRFB5620PBF soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 200V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el IRFB5620PBF?
El IRFB5620PBF viene en encapsulado TO-220AB. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el IRFB5620PBF?
El IRFB5620PBF se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
¿Es gratis consultar los datos del IRFB5620PBF?
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