MOSFET IRFD9020PBF P-Channel
MOSFET P-Channel — Encapsulado DIP-4 — Vds=60V, Id=1.6A, RDSon=0.28Ω, 1.3W
Parametros principales
| Package | DIP-4 |
| tr - Rise Time | 68 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 360 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 1.6 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 1.3 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.28 Ohm |
¿Que es el IRFD9020PBF?
El IRFD9020PBF es un transistor MOSFET de canal P-Channel en encapsulado DIP-4. Soporta hasta 60V entre drain y source con una corriente maxima de 1.6A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.28 Ohm.
Los MOSFET como el IRFD9020PBF se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el IRFD9020PBF
¿Que tipo de transistor es el IRFD9020PBF?
El IRFD9020PBF es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado DIP-4. Sus parametros principales son: Vds=60V, Id=1.6A, RDSon=0.28Ω, 1.3W.
¿Cual es el voltaje maximo del IRFD9020PBF?
El IRFD9020PBF soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el IRFD9020PBF?
El IRFD9020PBF viene en encapsulado DIP-4. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el IRFD9020PBF?
El IRFD9020PBF se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
¿Es gratis consultar los datos del IRFD9020PBF?
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