MOSFET IRFH8303PBF N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado PQFN5X6 — Vds=30V, Id=100A, RDSon=0.0011Ω, 156W
Parametros principales
| Package | PQFN5X6 |
| tr - Rise Time | 91 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 1363 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 100 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 156 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0011 Ohm |
¿Que es el IRFH8303PBF?
El IRFH8303PBF es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado PQFN5X6. Soporta hasta 30V entre drain y source con una corriente maxima de 100A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.0011 Ohm.
Los MOSFET como el IRFH8303PBF se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el IRFH8303PBF
¿Que tipo de transistor es el IRFH8303PBF?
El IRFH8303PBF es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado PQFN5X6. Sus parametros principales son: Vds=30V, Id=100A, RDSon=0.0011Ω, 156W.
¿Cual es el voltaje maximo del IRFH8303PBF?
El IRFH8303PBF soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el IRFH8303PBF?
El IRFH8303PBF viene en encapsulado PQFN5X6. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el IRFH8303PBF?
El IRFH8303PBF se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
¿Es gratis consultar los datos del IRFH8303PBF?
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